真空薄膜在電磁波上的用途

    1.集成電路

    是指被用于半導(dǎo)體工業(yè)上的PVD，砒霜鉀等結(jié)晶膜上的分子束蒸鍍法，電極布線和絕緣膜的形成的濺鍍方式。另一方面，CVD主要被利用于以下的幾個方面。

    是指作為硅外延層，在1000°C以上的高溫CVD上，將硅烷(SiH4)以及硅的鹵化物氣體

    (SiH2CI2，SiHCI3等)作為氣體原料的單結(jié)晶硅膜。

    將硅烷在600?800°C中高溫分解的多晶硅膜。

    等離子CVD上的無定形硅(a-Si)膜。

    熱CVD和等離子CVD上的，作為絕緣膜使用的二氧化硅(SiO2)膜和氮化硅(Si3N4)膜。

    從六氟化鎢(WF6)氣體和硅烷上，像鎢硅化物(WSi2)似的硅化物膜。

    從六氟化鎢氣體上氫還原，像鎢(W)膜似的金屬膜。

    2.顯示設(shè)備

    現(xiàn)在的顯示設(shè)備上平板顯示面板(FPD：Flat Panel Display)是作為主流的。在FPD的制造上薄膜的制造技術(shù)是關(guān)鍵的技術(shù)。在之前介紹過的透明導(dǎo)電膜以及各種各樣的薄膜都被利用到。

    在液晶設(shè)備(LCD：Liquid Crystal Display)上，非結(jié)晶硅(a-Si：amorphous Silicon)

    薄膜晶體管(TFT：Thin Film Transistor)以及低溫多晶硅(LTPS：Low Temperature

    Polycrystalline Silicon)晶體管(TFT)等就是用等離子CVD等做成的。

    在等離子體顯示面板的特性上起著重要影響的電極保護膜(MgO)就是用真空鍍膜以及濺鍍設(shè)備成膜的。

    在有機EL顯示(OLED：Organic Light Emitting Device)上，低分子系的材料是用真空鍍膜成膜的。另外，高分子系的聚合物則是利用了旋涂法或印刷技術(shù)。

    在冷陰極顯示(FED：Field Emission Display)上，各種各樣的冷陰極的研究在進行著，在這其中最有名的算是碳納米管(CNT：Carbon Nanotube)的冷陰極了。CNT是通過烴類氣體和過渡金屬(Fe，Co，Ni等)產(chǎn)生催化作用，用CVD方法制造而成的。

    3.超導(dǎo)薄膜

    作為超導(dǎo)體的目標所使用的濺射或激光燒蝕的構(gòu)成元素是由從多源的蒸發(fā)機到單獨蒸發(fā)的分子束使其沉積蒸發(fā)而成的。

    4.磁記錄膜

    由于電子槍的原因真空鍍膜主要被用于硬盤濺射，真空蒸發(fā)沉積磁帶上。另外，硬盤上具有良好潤滑性能的硬質(zhì)金剛石碳(DLC：Diamond Like Carbon)的保護膜就是由PVD，

    CVD方法制造而成的。

    5.光盤

    各種的CD光盤和壓縮光盤(CD：Compact Disc，Compact Disk)或數(shù)字多功能盤

    (DVD：Digital Versatile Disk)上的鋁反射膜都是通過濺射形成的。下述的僅供參考，以前被用在激光盤(LD：Laser Disk)上的鋁反射膜是用真空鍍膜法成膜的。成膜方式不同是由于LD的材料丙烯酸樹脂(PMMA)使濺鍍方式無法形成附著力良好的膜而造成的。

    6.彈性表面聲波膜

    壓電材料其中的容易形成薄膜的氧化鋅(ZnO)膜是通過濺鍍方式形成的。

    7.太陽能電池膜

    非晶硅膜通過以下方式獲得分解的等離子CVD的硅烷(SiH4)用氫終止，不參與電子化學(xué)鍵(懸掛鍵)。因此，形成膜的其他方式(真空鍍膜法。濺射法等)中的無定形硅不能形成的

    P型，N型膜形成方法都成為可能。因此，使用非晶硅的薄膜的太陽能電池已投入實際使用中并實現(xiàn)了太陽能電池的低成本化。