【康沃真空網(wǎng)】二十二、真空環(huán)境制備納米材料
　　2．濺射沉積
　　濺射鍍膜技術(shù)在納米半導(dǎo)體薄膜的制備領(lǐng)域已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。較為典型的濺射技術(shù)有直流磁控濺射、射頻磁控濺射、離子束濺射以及電子回旋共振等離子體增加濺射等技術(shù)。已利用磁控濺射技術(shù)制備出不同調(diào)制波長(zhǎng)的SiC/W納米多層膜，制備了CaAs/S1Q顆粒鑲嵌薄膜，利用射頻磁控濺射技術(shù)成功地制備了含納米顆粒的二氧化硅薄膜，以及鑲嵌于介質(zhì)中的Ⅲ～V族納米半導(dǎo)體薄膜。
　　3．外延沉積
　　外延技術(shù)是一種制備納米半導(dǎo)體薄膜的新技術(shù)，采用該技術(shù)可以制備出結(jié)晶取向與襯底完全一致而且品格結(jié)構(gòu)完整的納米半導(dǎo)體單晶薄膜。典型外延技術(shù)有氣相外延(VPE)、液相外延(LPE)和分子束外延.，半導(dǎo)體薄膜的制備中日益受到關(guān)注。