還看到，鈦鉬絲對氮氣 、氫氣吸附容量隨膜生成溫度的降低而增大。這與低溫下成膜的結(jié)構(gòu)及吸氣過程相聯(lián)系。研究表明：低溫下生成膜與較高溫度下生成膜相比有兩個特點：①盡昝表面吸附位置數(shù)目基本相同，但其中高能吸附位置數(shù)的比例增多；②由于晶格較雜亂，增大了吸附可利用的內(nèi)表面積，膜中也同時存在較多的品格缺陷。
　　
　　在低溫吸附過程中，吸附容量主要取決于表面致密層中被吸附氣體分子向膜中的擴散速率。它除與膜面溫度有關(guān)外，還與膜的晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)。氮氣和氫氣在鈦膜中擴散主要是通過晶界間隙和品格缺陷進(jìn)行的。因此，在低溫下生成的膜，由于可利用吸附表面積的增大和大量品格缺陷的存在，使吸附量必然增加。
　　
　　此外，吸氣容量特性與吸氣材料的性質(zhì)有關(guān)。在常溫下鈦鋯絲的吸附容量反而比液氮溫度下要大。鋯作為一種高溫吸氣材料在電子管中廣泛應(yīng)用，正是利用了鋯在高溫下有更大吸氣能力的這一特點。
　　
　　化學(xué)吸附是單分子層的。要不斷吸氣必須更新表面的吸附位置（繼續(xù)蒸發(fā)新鮮鈦膜，或者已吸附分子向膜內(nèi)擴散），因此粘著系數(shù)口又與表面覆蓋度e有關(guān)
       
　   式中Ns——單位鈦膜表面上化學(xué)吸附一單分子層時氣體分子的數(shù)目（對不同氣體其值不同；
　　
　　N——單鈦膜表面上已吸附的氣體分子數(shù)。
　　
　　根據(jù)化學(xué)吸附理論，單位鈦膜表面上的抽速
　　
　　　
　　式中

——  打到鈦膜上氣分子中滿足化學(xué)吸附條件的概率；
　　
　　E——化學(xué)吸附活化能；
　　
　　——理想比抽速，在20℃下對H為So=44 .4L/s，對
　　
　　當(dāng)表面覆蓋度時，表面粘著系數(shù)稱為本征粘著系數(shù)a0。它的物理意義是指蒸發(fā)率足夠高或工作壓力足夠低時，鈦膜表面幾乎沒有吸附上任何氣體分子的新鮮情況下，對氣體分子的粘著系數(shù)。在一般情況下，上述條件是不能滿足的。因此，實際所測粘著系數(shù)是表面覆蓋度時的值，故a< a0。就本實驗條件，由于蒸發(fā)率較小本底壓力又較高，所以表面覆蓋度的影響不能忽略，所測粘著系數(shù)并不是本征值 a0。