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真空鍍膜:制備硅膜CVD裝置

2014-05-25 06:22:00  閱讀()

　　此裝置簡圖如圖10-29所示。裝置采用射頻感應加熱，反應在基片與感應體附近發(fā)生，管壁沉積很少，硅膜生長速率為1μm/min—3μm/min。

真空鍍膜:制備硅膜CVD裝置
標簽： 真空鍍膜硅膜CVD  

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