化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置構(gòu)成

　　化學(xué)氣相沉積裝置主要包含四部分，即反應(yīng)室、加熱系統(tǒng)、供反應(yīng)氣體系統(tǒng)、反應(yīng)后氣體處理系統(tǒng)。
　　
　　反應(yīng)室設(shè)計(jì)時(shí)s*要問題是保證薄膜的均勻性。因化學(xué)反應(yīng)在基片上發(fā)生，因而還需注意：①應(yīng)為反應(yīng)提供充足的氣體；②抑制氣相中發(fā)生反應(yīng)；③使反應(yīng)后生成的氣體迅速離升。從結(jié)構(gòu)上來講，反應(yīng)室有水平型、垂直型、水平與垂直結(jié)合的圓筒型。不同結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室見表10-15。


　　
　　CVD裝置的加熱系統(tǒng)為基片上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)提供必要的熱量。因而，只需加熱基片，環(huán)境不需要加熱。通常為避免氣相中產(chǎn)生反應(yīng)物質(zhì)，基片溫度應(yīng)高于環(huán)境氣體溫度?；訜岱绞接须娮枋郊訜?、高頻感應(yīng)加熱、紅外線及激光加熱等。各種加熱方式及應(yīng)用見表10-16。不同薄膜成膜溫區(qū)見表10-17。



　　
　　CVD裝置供反應(yīng)氣體由原料氣體、氧化劑氣體、還原劑氣體以及將反應(yīng)氣體輸送至反應(yīng)室中的載帶氣體組成。原料氣體可由氣相、液相及固相三種形態(tài)提供。氣體可直接送入反應(yīng)室中。氣體流量控制可使用質(zhì)量流量計(jì)或針閥來實(shí)現(xiàn)。
　　
　　CVD反應(yīng)后的余氣大多數(shù)都是腐蝕性、有毒性氣體。一般需通過冷阱來冷凝或經(jīng)洗滌器水洗和中和后排走。