化學(xué)氣相沉積制作薄膜概述

　　化學(xué)氣相沉積是以化學(xué)反應(yīng)方式制作薄膜。其原理是將含有制膜材料的反應(yīng)氣體通到基片上，在基片上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成薄膜，對(duì)CVD薄膜生成過(guò)程，可以定性地歸結(jié)為反應(yīng)氣體通到基片上后，反應(yīng)氣體分子被基片表面吸附，并在基片表面上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，形成核，然后反應(yīng)生成物脫離基片表面，并沿基片表面不斷擴(kuò)散形成薄膜。CVD沉積薄膜速率較PVD高，PVD通常在25μm/h—250μm/h范圍，而CVD速率為25μm/h～1500 μm/h。其制膜材料包括除堿及堿土類(lèi)以外的金屬(Ag、Au困難)，碳化物、氧化物、氮化物、硫化物、硒化物、碲化物以及金屬化合物及合金。CVD可用于制作表面保護(hù)膜、裝飾膜、精制材料以及半導(dǎo)體和電子材料等。