真空鍍膜:磁控濺射的特點(diǎn)

　　①沉積速率大。由于采用高速磁控電極，可以得到很大的離子流，大大地提高了濺射速率和沉積速率。與其它濺射方式相比，磁控濺射生產(chǎn)能力高，產(chǎn)量高，廣泛應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)中。表10-10給出了平面磁控濺射的沉積速率。
　　
　?、诠β市矢?。磁控靶電壓一般在200V～1000V，典型值為600V。從圖10-17可見此電壓剛好處在功率效率z*高范圍內(nèi)。 　　
　　③濺射能量低。磁控靶施加的電壓低，等離子體被磁場(chǎng)約束在陰級(jí)附近，這樣可抑制能量較高的帶電粒子入射到基片上。
　　
　　④基片溫度低。放電時(shí)產(chǎn)生的電子可以通過(guò)陽(yáng)極導(dǎo)走，而不必通過(guò)接地的基片支架，可以大大減少電子轟擊基片，因而基片溫度不高。對(duì)塑料基底鍍膜非常有利。
　　
　?、莅锌涛g不均勻。由于靶磁場(chǎng)不均勻，使其局部位置刻蝕速率較大，使靶材利用率僅為20%—30%。為提高靶材利用率，可采取一定措施改變磁場(chǎng)分布，還可使磁鐵在陰極中移動(dòng)來(lái)提高靶材利用率。
　　
　?、拗茝?fù)合靶。為了鍍合金膜可制作復(fù)合靶。圖10-18給出了復(fù)合靶示意圖。已利用這種靶成功制取了Ta-Ti合金、(Tb-Dy) -Fe以及Gb-Co合金膜，其中以扇形結(jié)構(gòu)效果z*好。
　　
　　按薄膜功能分類，濺射膜可為分電氣、磁學(xué)、光學(xué)、機(jī)械、化學(xué)和裝飾等幾大類，見表10-11。