真空設(shè)備同軸圓柱形磁控濺射鍍膜

　　同軸圓柱形磁控濺射靶的結(jié)構(gòu)如圖10-14所示。在濺射裝置中該靶接500V-600V的負(fù)電位。基片接地、懸浮或加偏壓。


在每個永磁體單元的對稱面上，磁力線平行于靶表面并與電場正交。磁力線與靶表面封閉的空間就是束縛電子運動的等離子區(qū)域。在異常輝光放電中，離子不斷地轟擊靶表面并使之濺射，材料沉積在基片上，形成薄膜。

①永磁體的選擇。磁控靶中常用的永磁體材料有鍶鐵氧體、鋇鐵氧體、鋁鎳鈷合金等。其幾何尺寸，一般選擇長度和直徑相同為宜。磁體端面場強(qiáng)z*好接近0.15T，這樣可保證靶表面平行磁場B≈0.03T。

②陰極靶筒。陰極靶筒是用膜材制成的。靶筒材料的純度要高且表面光潔，組織應(yīng)致密。幾何尺寸可根據(jù)要求設(shè)計確定，其內(nèi)徑?jīng)Q定靶筒自身的冷卻效果，壁厚則直接限定靶表面的磁場及使用壽命。所以，在保證機(jī)械強(qiáng)度的前提下，通常取壁厚為5mm—10mm。

③墊片。磁控靶中永磁體單元之間的墊片應(yīng)選擇純鐵、低碳鋼等導(dǎo)磁性好的材料制成，其直徑大于永磁體直徑5mm左右，其厚度約在3mm～Smm為宜。這樣可以通過引磁作用在靶表面上形成較為理想的磁場，提高濺射速率和拓寬靶的腐蝕區(qū)域。