微波金屬濺射臺介紹 　　

       摘要：研發(fā)的微波金屬濺射臺已經(jīng)克服了“跑道效應(yīng)”，節(jié)約靶材和換靶時間；交流輝光濺射的粒子細(xì)膩，經(jīng)微波輸運進(jìn)一步等離子化后可以進(jìn)行納米尺度刻蝕槽的充填；膜層之間結(jié)合力好，多重膜沉積無剝落；不受磁場控制，可以使用厚靶沉積鐵磁元素；可以進(jìn)行微量摻雜，具有良好的可控性，特別適合納米量級的膜沉積。合金膜、金屬間化合物膜。多重金屬膜等均可以制造多靶濺射臺完成復(fù)雜工藝。是科研創(chuàng)新的有力工具。該設(shè)備的微波泄漏率已經(jīng)超國際標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到微瓦級，保證不傷害操作人員?！?br />        微波金屬濺射臺主要解決可局部刻蝕造成的靶面“跑道效應(yīng)”、濺射粒子粗糙以及離子輸運過程因為“失能”而使膜表面的“發(fā)霧”等問題。使用交流輝光放電從金屬對靶濺射出的粒子遠(yuǎn)比各種微弧濺射細(xì)膩得多，進(jìn)入微波場后，因為金屬禁帶寬度窄，容易激發(fā)和電離，且微波電離能力強(qiáng)，高達(dá)20%以上電離率的含金屬元素等離子體，可以長距離地輸運而不失能，到達(dá)基片消電離后形成結(jié)合力良好的致密金屬膜，并且等離子體具有z*佳的夾縫充填性能，這在當(dāng)前特征尺寸已經(jīng)達(dá)到納米級的芯片制造技術(shù)方面，具有重要的意義。例如，可以使用貴金屬釕保護(hù)硅不受互連金屬銅的侵蝕，銅之上再沉積鎳、鉭等防止大氣的侵蝕，各層金屬之間的結(jié)合力良好，我國發(fā)展超高集成度的芯片可以使用本工藝。該設(shè)備具有獨立的知識產(chǎn)權(quán)，現(xiàn)已經(jīng)獲得國家專利。其重要優(yōu)點是對環(huán)境友好，不使用任何污染氣體。如果使用單位需要回收金屬的納米粒子，我們可以共同開發(fā)相應(yīng)的設(shè)備?！　?br />        微波設(shè)備的重要指標(biāo)是微波泄漏率。該設(shè)備使用了我們獨創(chuàng)的結(jié)構(gòu)，泄漏率已經(jīng)低于毫米瓦級的國際標(biāo)準(zhǔn)，僅為微瓦級，不給操作人員帶來任何傷害。凡是熔點高于700°C的金屬均可以制靶濺射成膜，而且不必使用水冷靶，因此換靶非常容易，將靶插入座上只需幾分鐘。靶的表面整體起輝，不發(fā)生局部刻蝕，絕對沒有“跑道效應(yīng)”，靶材的利用率極高。轟擊電源設(shè)有微分滅弧線路，保護(hù)靶與轟擊電源，不受突如其來大電流弧光放電的傷害。該設(shè)備的離子轟擊是在工頻交流電場的控制下而不使用磁場，因此不必因為鐵磁物質(zhì)的隔磁作用而使用需要經(jīng)常更換的薄靶，直接使用厚靶濺射可以提供鐵磁金屬濺射沉積的效率，這在自旋閥、存儲器的制作上具有很大的重要性?！　?br />        微波金屬濺射臺使用分子泵機(jī)組，本底真空度1*10^-3Pa，工作真空度10 0~10 ²Pa.輸入氣體為兩路質(zhì)流計控制，工作氣體常用氬，或再加氫氣。基片托盤z*高工作溫度不高于650℃，可以滿足鍍膜和基片的原位退火。有效均溫面積為φ150mm。靶的選擇可以為金屬間化合物或合金，如果希望多種金屬各自按比例共同沉積，我們可以制造多靶濺射臺。對于客戶提出的特殊要求需要大家可以通過協(xié)商，由我們研發(fā)特制?！　?br />        為了推廣該工藝，我們s*先推出科研機(jī)，以科研院所、高校為對象。設(shè)備結(jié)構(gòu)簡潔明快，操作簡單易行，價格較低，符合當(dāng)前需要創(chuàng)新單位和實際情況，具有高安全性。我們可以按需要提供金屬靶，如果必須保密也可以按我們的圖紙自行定制。該設(shè)備特別適合研究生的培養(yǎng)和本科生的教學(xué)，在絕對保障安全的前提下可以完滿地觀測濺射、微波輸運和膜沉積的細(xì)節(jié)，很直觀，一直可以完成到中試、如果客戶需要生產(chǎn)型設(shè)備，敬請聯(lián)系我們。青島高校山柏科技有限公司 青島環(huán)友等離子技術(shù)研究所 　　　　　　

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