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論蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜的技術(shù)優(yōu)缺點和詳細介紹
標簽: 優(yōu)缺點
2024-08-28  閱讀

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康沃真空網(wǎng)真空鍍膜技術(shù)簡稱PVD,在真空條件下,采用物理方法,使材料源表面氣化成原子、分子或離子,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。真空鍍膜設備鍍膜技術(shù)主要分為蒸鍍、濺射和離子鍍?nèi)箢?。而蒸發(fā)鍍膜技術(shù)也分為三種,電阻蒸發(fā),電子束蒸發(fā),感應加熱蒸發(fā)。三種蒸發(fā)鍍膜技術(shù),各自有各自的特點,下面小編為大家詳細介紹一下這三種鍍膜技術(shù)各自的優(yōu)缺點,希望能幫助到大家:

     論蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜的技術(shù)優(yōu)缺點和詳細介紹

    電阻蒸發(fā)鍍膜技術(shù)采用電阻加熱蒸發(fā)源的蒸發(fā)鍍膜技術(shù),一般用于蒸發(fā)低熔點材料,如鋁、金、銀、硫化鋅、氟化鎂、三氧化二鉻等;加熱電阻一般采用鎢、鉬、鉭等。奇優(yōu)點,結(jié)構(gòu)簡單,成本低。缺點材料易與坩堝反應,影響薄膜純度,不能蒸鍍高熔點的介電薄膜;蒸發(fā)率低。電子束蒸發(fā),利用高速電子束加熱使材料汽化蒸發(fā),在基片表面凝結(jié)成膜的技術(shù)。電子束熱源的能量密度可達104-109w/cm2,可達到3000℃以上,可蒸發(fā)高熔點的金屬或介電材料如鎢、鉬、鍺、SiO2、AL2O3等。電子束加熱的蒸鍍源有直槍型電子槍和e型電子槍兩種(也有環(huán)行),電子束自源發(fā)出,用磁場線圈使電子束聚焦和偏轉(zhuǎn),對膜料進行轟擊和加熱。其優(yōu)點可蒸發(fā)任何材料,薄膜純度高,直接作用于材料表面,熱效率高。缺點電子槍結(jié)構(gòu)復雜,造價高,化合物沉積時易分解,化學比失調(diào)。感應加熱蒸發(fā),利用高頻電磁場感應加熱,使材料汽化蒸發(fā)在基片表面凝結(jié)成膜的技術(shù)。其優(yōu)點蒸發(fā)速率大,可比電阻蒸發(fā)源大10倍左右,蒸發(fā)源的溫度穩(wěn)定,不易產(chǎn)生飛濺現(xiàn)象,坩堝溫度較低,坩堝材料對膜導污染較少。其缺點蒸發(fā)裝置必須屏蔽,造價高、設備復雜。發(fā)真空鍍膜設備這三種蒸發(fā)鍍膜技術(shù)雖然原理都是一樣,都是通過高溫蒸發(fā)材質(zhì)汽化的方式鍍膜,但是所應用的環(huán)境卻不一樣,鍍的膜材和基材也有不同的要求。

    磁控濺射鍍膜優(yōu)勢介紹

    真空鍍膜設備鍍膜技術(shù)大方向來分有三種,蒸發(fā)鍍膜技術(shù),離子鍍膜技術(shù),磁控濺射鍍膜設備,每種鍍膜技術(shù)都有各自的優(yōu)缺點,鍍制不同的基材,不同的靶材,選擇的鍍膜技術(shù)是不相同的。下面小編為大家詳細介紹一下磁控濺射真空鍍膜設備技術(shù),希望能幫助到大家:

     論蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜的技術(shù)優(yōu)缺點和詳細介紹

    磁控濺射工藝的主要優(yōu)點是可以使用反應性或非反應性鍍膜工藝來沉積這些材料的膜層,并且可以很好地控制膜層成分、膜厚、膜厚均勻性和膜層機械性能等,因此市面上鍍制膜層,對膜層要求比較高,幾乎都采用磁控濺射鍍膜技術(shù)來實現(xiàn)。磁控濺射鍍膜技術(shù)有一下幾點優(yōu)勢

    沉積速率大。由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應用。

    功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,通常為600V,因為600V的電壓剛好處在功率效率的最高有效范圍之內(nèi)。

    濺射能量低。磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。

    基片溫度低。可利用陽極導走放電時產(chǎn)生的電子,而不必借助基材支架接地來完成,可以有效減少電子轟擊基材,因而基材的溫度較低,非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。

    磁控濺射靶表面不均勻刻蝕。磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致,靶的局部位置刻蝕速率較大,使靶材有效利用率較低(僅20%-30%的利用率)。因此,想要提高靶材利用率,需要通過一定手段將磁場分布改變,或者利用磁鐵在陰極中移動,也可提高靶材利用率。

    復合靶??芍谱鲝秃习绣兒辖鹉ぃ壳?,采用復合磁控靶濺射工藝已成功鍍上了Ta-Ti合金、(Tb-Dy)-Fe以及Gb-Co合金膜。復合靶的結(jié)構(gòu)有四種,分別是圓塊鑲嵌靶、方塊鑲嵌靶、小方塊鑲嵌靶以及扇形鑲嵌靶,其中以扇形鑲嵌靶結(jié)構(gòu)的使用效果為佳。

    應用范圍廣。磁控濺射工藝可沉積元素有很多,常見的有:Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等。

    真空鍍膜設備磁控鍍膜技術(shù)是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當中使用最廣泛的一種鍍膜工藝,膜層類型多樣化,膜層厚度可控性強,膜層附著力高,致密性好,表面光潔度也是非常靚麗。