ITO薄膜在濺鍍過程中會(huì)產(chǎn)生不同的特性，有時(shí)候表面光潔度比較低，出現(xiàn)麻點(diǎn)的現(xiàn)象，有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)高蝕間隔帶。

在蝕刻時(shí)還會(huì)出現(xiàn)直線放射型缺劃或電阻偏高帶，有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)微晶溝縫。

各種特性的產(chǎn)生一般取決于靶材和玻璃的選用，濺鍍時(shí)所使用的溫度和運(yùn)動(dòng)方式。

當(dāng)前常用的ITO靶材制作是通過燒結(jié)法生產(chǎn)的，就是由氧化銦(In2O3)和氧化錫(SnO2)粉末按照一定的比例進(jìn)行混合，通常質(zhì)量比是90%In2O3和10% SnO2，再通過一系列的生產(chǎn)工藝加工成型后，以1400℃～1600℃高溫通氧氣燒結(jié)，z*終形成的黑灰色陶瓷半導(dǎo)體(氧化銦錫，ITO)。

一般通過外觀就可以了解ITO靶材的質(zhì)量，深灰色是z*好的，相反越黑質(zhì)量越差，我國(guó)生產(chǎn)的ITO靶材質(zhì)量還可以的是黑灰色的。

經(jīng)過研究，在真空鍍膜機(jī)薄膜濺鍍過程中，使用磁控濺射的方式，基底溫度控制在200℃左右可以保證薄膜85%以上高可見光透過率下，電阻率達(dá)到z*低，而薄膜的結(jié)晶度也隨著基底溫度的提高而提高，晶粒尺寸也逐漸增大。

超過200℃后透射率趨于減弱;使用電子束蒸鍍的方式，隨著退火溫度升高，晶粒尺寸變大，表面形貌均一穩(wěn)定，超過600℃后顆粒變得大小不一，形狀各異，小顆粒團(tuán)聚現(xiàn)象嚴(yán)重，薄膜表面形貌破壞。