提出了基于數(shù)字模擬的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法。氮化硅薄膜的主要影響因子和質(zhì)量特性參數(shù)通過(guò)領(lǐng)域知識(shí)和專家意見先期獲得，通過(guò)單因素物理試驗(yàn)獲得工藝參數(shù)和質(zhì)量特性參數(shù)之間的關(guān)系，通過(guò)數(shù)字模擬的正交試驗(yàn)獲得z*佳的工藝參數(shù)?？紤]到PECVD沉積氮化硅薄膜實(shí)驗(yàn)所需的時(shí)間和費(fèi)用，基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法可以在數(shù)據(jù)離散化、領(lǐng)域知識(shí)不充分的環(huán)境中高效經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行工藝參數(shù)的優(yōu)化選擇。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積( PECVD) 是利用輝光放電的物理作用來(lái)激活粒子的一種化學(xué)氣相沉積( CVD) 反應(yīng)，是集等離子體輝光放電與CVD 于一體的薄膜沉積技術(shù)。PECVD沉積氮化硅的過(guò)程溫度僅需300 ～400℃，因此氮化硅不會(huì)出現(xiàn)因溫度過(guò)高引起器件失效的問(wèn)題。此外，PECVD法還可以通過(guò)改變沉積參數(shù)的方法制備不同應(yīng)力狀態(tài)的薄膜以滿足不同的需要。

采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長(zhǎng)主要包含以下三個(gè)基本過(guò)程：s*先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；其次，各種活性基團(tuán)向薄膜生長(zhǎng)表面和管壁擴(kuò)散輸運(yùn)，同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級(jí)反應(yīng)；z*后，到達(dá)生長(zhǎng)表面的各種初級(jí)反應(yīng)和次級(jí)反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。采用PECVD法獲得的SiNx: H 薄膜能對(duì)氮化硅起到表面鈍化和體鈍化的作用，成為一種能大幅度提高多晶硅太陽(yáng)電池效率的多功能減反射膜材料。PECVD沉積過(guò)程中不同的沉積參數(shù)會(huì)顯著影響氮化硅薄膜的質(zhì)量特性，因此有必要對(duì)其進(jìn)行合理優(yōu)化以確保質(zhì)量特性滿足要求。

目前多數(shù)研究都試圖通過(guò)物理實(shí)驗(yàn)優(yōu)化PECVD沉積氮化硅薄膜的沉積參數(shù)。文獻(xiàn)針對(duì)氮化硅薄膜沉積過(guò)程中出現(xiàn)的薄膜破裂及純度不高的現(xiàn)象進(jìn)行了工藝參數(shù)優(yōu)化，得到了較為合適的高頻電場(chǎng)概率，使之可以在較低溫度下，以較快沉積速率得到高純度的氮化硅薄膜；Schmidt 和Kerr通過(guò)測(cè)試不同沉積條件下的多數(shù)載流子壽命研究了氮化硅薄膜的沉積參數(shù)優(yōu)化及其表面鈍化性能；Wright通過(guò)沉積試驗(yàn)和紅外光譜的傅里葉變換方法研究了PECVD沉積氮化硅薄膜的光學(xué)性質(zhì)和腐蝕速率以及它們之間的關(guān)系；王權(quán)等研究了不同襯底條件對(duì)薄膜質(zhì)量特性的影響；陳喜平等對(duì)放電功率對(duì)薄膜生長(zhǎng)特性的影響進(jìn)行了仿真模擬。然而，物理實(shí)驗(yàn)需要極高的人力和物力成本，有鑒于此，Kim 等提出了一種使用神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)來(lái)預(yù)測(cè)氮化硅薄膜折射率的方法，通過(guò)析因?qū)嶒?yàn)確定折射率與射頻功率、反應(yīng)溫度、壓力、氣體總流量等工藝參數(shù)之間的關(guān)系式，用以預(yù)測(cè)PECVD沉積氮化硅薄膜的折射率，但此類預(yù)測(cè)方法需要大量的先驗(yàn)數(shù)據(jù)，并對(duì)數(shù)據(jù)訓(xùn)練結(jié)果具有較高的敏感性。

本文提出了基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法，綜合了單因素試驗(yàn)和數(shù)字模擬的正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)兩種優(yōu)化方法。氮化硅薄膜的主要影響因子和質(zhì)量特性參數(shù)通過(guò)領(lǐng)域知識(shí)和專家意見先期獲得，通過(guò)單因素物理試驗(yàn)獲得工藝參數(shù)和質(zhì)量特性參數(shù)之間的關(guān)系，通過(guò)數(shù)字模擬的正交試驗(yàn)獲得z*佳的工藝參數(shù)?？紤]到PECVD沉積氮化硅薄膜實(shí)驗(yàn)所需的時(shí)間和費(fèi)用，基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法可以在數(shù)據(jù)離散化、領(lǐng)域知識(shí)不充分的環(huán)境中高效經(jīng)濟(jì)的進(jìn)行工藝參數(shù)的優(yōu)化選擇。

1、基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)優(yōu)化

參數(shù)選擇是PECVD沉積氮化硅薄膜的關(guān)鍵步驟之一?；跀?shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法是綜合了單因素試驗(yàn)和數(shù)字模擬的正交試驗(yàn)設(shè)計(jì)的整體優(yōu)化方法。通過(guò)單因素物理試驗(yàn)獲得工藝參數(shù)和質(zhì)量特性參數(shù)之間的關(guān)系，通過(guò)數(shù)字模擬的正交試驗(yàn)獲得z*佳的工藝參數(shù)。

1.1、影響氮化硅薄膜質(zhì)量的影響因子

本文選取了沉積速率、折射率、均勻度、少子壽命作為評(píng)判薄膜質(zhì)量?jī)?yōu)劣的四個(gè)表征量。

(1) 沉積速率的大小影響薄膜的光學(xué)和物理性能。在實(shí)際生產(chǎn)中，需要選擇z*合適的沉積速率來(lái)控制生產(chǎn)節(jié)奏，提高生產(chǎn)效率。采用橢偏儀測(cè)量氮化硅薄膜的厚度，除以薄膜沉積時(shí)間，得到氮化硅薄膜的平均沉積速率。

(2) 折射率的高低主要決定于膜中各原子的含量，H 含量高則折射率偏低，Si含量高折射率會(huì)偏高。采用橢偏儀直接測(cè)量氮化硅薄膜的折射率。

(3) 均勻度是氮化硅薄膜物理、化學(xué)性能的直接決定條件，本文定義均勻度= [(z*大膜厚-z*小膜厚) /(z*大膜厚+ z*小膜厚) ]。均勻度的數(shù)值越小，表明薄膜越均勻。

(4) 少子壽命一般用來(lái)表征鈍化效果，少子壽命越高，太陽(yáng)電池的短路電流、開路電壓越高，鈍化效果越好。

1.2、沉積工藝參數(shù)選擇的決策方法

基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜工藝參數(shù)選擇的決策方法與流程如圖1。s*先利用單因素物理試驗(yàn)確定所有單個(gè)影響因子與質(zhì)量特性的關(guān)系，擬合成數(shù)學(xué)關(guān)系式，之后引入基于數(shù)字模擬的正交試驗(yàn)代替進(jìn)行正交物理試驗(yàn)。利用單因素物理過(guò)程擬合的過(guò)程輸入和質(zhì)量特性的關(guān)系式，按照下面給出的方法和公式來(lái)計(jì)算正交試驗(yàn)中過(guò)程輸出，從而省略實(shí)際的多因素正交試驗(yàn)。

3、結(jié)論

本文提出了基于數(shù)字模擬的PECVD制備氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法，提高了在數(shù)據(jù)離散化、領(lǐng)域知識(shí)不充分條件下的工藝參數(shù)決策效率和經(jīng)濟(jì)性。s*先利用單因素試驗(yàn)確定所有主要影響因子以及這些影響因子和質(zhì)量特征值之間關(guān)系式；在此基礎(chǔ)上，使用正交試驗(yàn)的方法來(lái)z*終確定z*優(yōu)的工藝參數(shù)。在使用正交試驗(yàn)時(shí)，在基于單因子試驗(yàn)得到影響因子和質(zhì)量特征值的關(guān)系式的基礎(chǔ)上，利用數(shù)字模擬的方法來(lái)得到正交試驗(yàn)的各項(xiàng)輸出，采用增加修正量的方法，在單因素實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上，計(jì)算正交實(shí)驗(yàn)輸出結(jié)果。案例研究表明基于數(shù)字模擬的PECVD沉積氮化硅薄膜的工藝參數(shù)決策方法可以在數(shù)據(jù)離散化、領(lǐng)域知識(shí)不充分的環(huán)境中高效經(jīng)濟(jì)的進(jìn)行工藝參數(shù)的優(yōu)化選擇。